等离子增强化学气相沉积系统（PECVD）

美***NANOMASTER公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统能够沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。可选用射频（RF）、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务。

等离子增强化学气相沉积系统（PECVD）

1)   平板尺寸：8”

2)   源直径：5”或8”

3)   气体输入管数量：4（两个反应气，一个载气，一个排空管）

4)   源距平板的距离：2”或者可调

5)   真空：低于E-7Torr，200L/sec涡轮分子泵及3.5cfm机械泵组合

6)   最大平板温度：800℃

7)   射频电源供应：600W，13.5MHz

8)   射频偏压：300W，13.5MHz

产品型号：

NPE-3000 桌面型PECVD系统

NPE-4000 立式型PECVD系统

等离子增强化学气相沉积系统（PECVD）

应用领域：

1.        等离子诱导表面改性

2.        等离子清洗（NF3）

3.        反应离子蚀刻

4.        等离子体聚合

5.        PECVD沉积SiO2、Si3N4、类金刚石、硬质薄膜等