CGo-4高低温真空探针台

CGo-4高低温真空探针台

温控规格:  

控温范围4K-480K控温精度0.1K温度稳定性4 K        + - 0.2 K 77 K     + - 0.1 K 373 K    + - 0.08 K 473 K       + - 0.1 K 823 K       + - 0.2 K(可选) 973 K    + - 1.0K(可选)常温到8K冷却时间:1小时40分钟8K到常温升温时间:1小时30分钟 从常温开始的升温时间          200 ℃     550℃     700 ℃ (4 chuck，单位分：秒)1:00         1:30         2:00电源直流材质不锈钢功率(4chuck) 850W

机械规格                               

 针座行程 X轴方向25.4mm(1 inch) 可以选择50.8mm  Y轴方向25.4mm(1 inch) 可以选择50.8mm  Z轴方向25.4mm(1 inch) 可以选择50.8mm 移动精度  X轴方向10 micron 可以选择0.35,0.7,5,10 or 20 micron Y轴方向10 micron 可以选择0.35,0.7,5,10 or 20 micron Z轴方向10 micron 可以选择0.35,0.7,5,10 or 20 micron 探针可旋转角度+-5 度  

光学部件规格

显微镜X-Y轴方向行程2"*2" 可以选择4"*4"总共放大倍率240X 可以选择更高倍率真空腔观察窗口2 inch 外部石英材质99%红外线穿过率 内部吸收红外线仅可见光通过光源150W可连续调节双光纤导引

可选附件

防震桌

方形chuck

分子泵组

射频部件

Chuck可外部移动装置

客户定制。

低温和高温真空探针台

CINDBEST真空环境高低温测试技术

以下两个应用需要真空测试环境。

极低温测试:

因为晶圆在低温大气环境测试时，空气中的水汽会凝结在晶圆上，会导致漏电过大或者探针无法接触电极而使测试失败。避免这些需要把真空腔内的水汽在测试前用泵抽走，并且保持整个测试过程泵的运转。

高温无氧化测试：

当晶圆加热至300℃,400℃,500℃甚至更高温度时，氧化现象会越来越明显，并且温度越高氧化越严重。过度氧化会导致晶圆电性误差，物理和机械形变。避免这些需要把真空腔内的氧气在测试前用泵抽走，并且保持整个测试过程泵的运转。 

晶圆测试过程中温度在低温和高温中变换，因为热胀冷缩现象，定位好的探针与器件电极间会有相对位移，这时需要针座的重新定位，CINDBEST针座位于腔体外部。我们也可以选择使用操作杆控制的自动化针座来调整探针的位置。