| 芬兰PICOSUN™ R-200高***型 ALD
技术参数
衬底尺寸和类型 ：
。50-200 mm /单片
。156 mm x 156 mm太阳能硅片
。3D复杂表面衬底
。粉末与颗粒
。Roll-to-roll , 衬底宽 70 mm
。多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度： 50 - 500 °C , 可选更高温度
基片传送选件： 。气动升降（手动装载）
。预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
。半自动装载，用PICOPLATFORM™200集群系统实现
。25片晶圆盒对盒式全自动装载（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM™200集群系统实现
前驱体 ： 。液态、固态、气态、臭氧源、等离子体（*多4路气体）
。6根独立源管线，*多加载12个前驱体源（加上Plasma管路，共7根独立源管线）
重量 ：350 + 200 kg
尺寸 ：(W x H x D) 取决于选件
*小 ：146 cm x 146 cm x 84 cm
：189 cm x 206 cm x 111 cm
选件 ：集群工具，PICOFLOW™ 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高真空兼容，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）
验收标准 ：标准设备验收标准为 Al2O3工艺
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沪公网安备31011502016460号
