ENTECH RIE SI591 平板电容式反应离子刻蚀机

RIE SI591；兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺；小型化和高度模块化；SENTECH控制软件；

Process flexibility工艺灵活性 
反应离子刻蚀机 SI 591系列兼容多种氯基或氟基刻蚀工艺。 
Small footprint ａnd high modularity设备小型化和高度模块化 
Si591系列可设置为单腔系统或带盒式装片的多腔系统。 
SENTECH control software SENTECH控制软件 
控制软件包括模拟用户界面，参数窗口，工艺程序编辑器，数据记录和用户管理。 

SI 591的真空装载片装置和完全由计算机控制工艺条件的软件系统，使其具优良的工艺重复性。灵活、模块化和小型化是SI591系统的设计特点，能容纳200mm（8迹┑难坊蛟仄獭 

SI591系统通过不同选件可实现穿墙安装或*小占地面积。 

大观察窗位于上电极顶部，反应器能方便的容纳SENTECH激光干涉仪或者OES、RGA系统。用SENTECH椭偏仪可以在设备上通过椭偏仪端口进行在线工艺监控。
 
SI591系统沿承了RIE的平行板电极设计优势，刻蚀过程全部由计算机控制，可以进行多种材料的刻蚀。SENTECH还可提供多种自动化配置，从真空盒式装片到*多六个端口的沉积刻蚀多腔系统，用以提高设备的灵活性和产能。SI591也可以作为多腔系统的模块组成部分。 

SI 591 compact 
• RIE plasma etcher with small footprint 
• Loadlock 
• Halogen ａnd fluorine chemistry 
• For up to 200 mm wafers 
• Diagnostic windows for laser interferometer ａnd OES 

SI591 Cluster 
• Configurations of up to 6-port transfer chamber available 
• Combination of RIE, ICP-RIE, ａnd PECVD 
• Manual vacuum loadlock or cassette station 
• Cluster for R & D ａnd high throughput 
• SENTECH control software