晶圆测厚仪,晶圆厚度测试仪,硅片测厚仪,硅片厚度测量仪采用非接触式测量方法，对晶圆的厚度和表面形貌进行测量，可广泛用于：MEMS， 晶圆，电子器件，膜厚，激光打标雕刻等工序或器件的测量。

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该晶圆测厚仪,晶圆厚度测量仪,硅片测厚仪,硅片厚度测量仪
专业为掩膜，划线的晶圆，粘到蓝宝石或玻璃衬底上的晶圆等各种晶圆的厚度测量而设计，同时，还适合50-300mm 直径的晶圆的表面形貌测量。

该晶圆测厚仪,晶圆厚度测量仪,硅片测厚仪,硅片厚度测量仪采用红外干涉技术，能够精确给出衬底厚度和厚度变化 （TTV），也能实时给出超薄晶圆的厚度（掩膜过程中的晶圆），非常适合晶圆的研磨、蚀刻、沉淀等应用。这种红外干涉技术具有独特优势，诸多材料例 如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在红外光束下都是透明的，非常容易测量，标准的测量空间分辨率可达50微米，更小的测量点也可以做到。

该晶圆测厚仪,晶圆厚度测量仪,硅片测厚仪,硅片厚度测量仪具有探针系统配件，使用该探针系统后，可以高精度地测量图案化晶圆,带 保护膜的晶圆, 键合晶圆和带凸点晶圆（植球晶圆），wafers with patterns, wafer tapes,wafer  bump or bonded wafers 。

该晶圆测厚仪,晶圆厚度测量仪,硅片测厚仪,硅片厚度测量仪直接而精确地测量晶圆衬底厚度和厚度变化TTV，同时该晶圆测厚仪能够测量晶圆薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness） 和凸点厚度（wafer pump height）.，沟槽深度 （trench depth）.
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