硅片翘曲度测量仪
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产 地:更新时间:2021-01-18 19:35
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翘曲度测量仪是特别为半导体晶圆(wafer)和太阳能电池(solar cell)的翘曲度(warp) 和弯曲度(bow)以及表面形貌(topography)的测量而设计,可以测量晶圆翘曲度(wafer warpage) 和晶圆表面形貌, 晶圆应力,硅片张力,太阳能电池量子效率.
是全球范围内功能强大的仪器,***套仪器可以测量:热沉,晶圆(wafer),太阳能电池和玻璃的 翘曲度,应力以及表面形貌。
适合光伏电池翘曲度测量,太阳能电池翘曲度,晶圆翘曲度测量,硅片翘曲度测量,晶片翘曲度测量。
详情浏览:http://www.felles.cn/jingyuanceshi/qiaoquduceshi.html
这套翘曲度测量仪,翘曲度检测仪,翘曲度测试仪既适合科研单位使用,也适合工业客户大产品、高效率的晶圆翘曲度和表面形貌的检测的需要。
我们还根据不同晶圆类型提供如下两种硅片翘曲度测量仪:
1. 非反射型:适合晶圆表面覆盖晶圆保护膜/胶带(wafer tape),图案化晶圆 /图样化晶圆(patterned wafer),粗糙的晶圆的应用;
2. 高反射型: 适合晶圆表面光滑 / 镜反射的应用。
主要特点:
× 适合不同尺寸的晶圆检测,从0.5’‘到12''的直径;
* 标准检测能力为: 每小时可检测2000个晶圆或更多太阳能电池;
× 同时测量多个晶圆或太阳能电池;
× 测量镀膜后的晶圆或solar cell;
* 分析太阳能电池或晶圆应力和张力;
* 对晶圆表面进行图像分析;
* 测量图案化晶圆或非图案化的晶圆;
* 具有太阳能电池的量子效率测量选项供选择
主要参数:
× 翘曲度测量范围:1-20微米;
* 重复精度: 百分之0.5 (1 sigma);
* 给出结果:曲率半径,晶圆弯曲高度,翘曲度,测量日期和时间;
* RMS粗糙度mapping: 0.5-20A (可选项);
*光源:根据用户的应用而配备不同光源;
* 探测器:高分辨率探测器阵列并配备亚像素软件;
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