SEMILAB-全光谱椭偏仪GES5E
(Spectroscopic Ellipsometer)
SEMILAB成立于1989年，总部位于匈牙利布达佩斯，为生产、研发中心，客户遍布全球。在欧洲、和亚洲主要******都设有分支机构, 在美***设有工厂和研发中心。SEMILAB拥有全球zui***的电学和光学表征技术，产品被广泛应用于光伏、半导体、科研以及平板测试领域。凭借的测试设备，为客户的生产和质量监控提供***套完整的测试方案，在行业中始终处于领xian地位。
公司建成后迅速发展, 自2004年以来相继收购了包括SemiTest、SSM、Sopra、QC Solution、AMS、SDI和Todival Solar在内的业内知名测试公司，同时囊获了IBM的JPV、AMAT的Boxes Cross、以及德***Basler公司的zhuan li技术。
随着市场的不断扩张，SEMILAB于2000年进入中***市场，6年后成立代表处，并于2009年在上海成立全资子公司“瑟米莱伯贸易（上海）有限公司”。子公司成立以来，业务量发展迅猛，于2010年成立了TSS寄售维修中心，并于次年在无锡新增了售后服务中心，上海公司随之成为亚洲的销售及售后服务中心。公司秉承专ye、团队、激情的文化理念，始终坚持为客户提供*hao的测试方案和完善的售后服务。
产品描述
| GES5E全光谱椭偏仪基于椭圆偏振测试技术，采用的旋转补偿器，结合光纤专li技术将偏振光信号传输至分段光谱优化的高分辨率单色仪或阵列式多通道摄谱仪，测得线偏振光经过样品反射后的偏振态变化情况，并通过样品光学模型的建立，计算出单层或多层薄膜结构的厚度、折射率和消光系数，实现精确、快速、稳定的宽光谱椭偏测试。 |
| GES5E是Semilab针对科研院所和企业研发中心推出的多功能桌面 型旗舰产品。为了满足科研院所及研发中心对于复杂薄膜材料和复杂多层薄膜结构的综合型测试需求，GES5E采用了模块化的设计，可自由组合多种扫描和真空变温样品台，多种从135nm深紫外光谱至2400nm近红外光谱的探测器，多种测试光斑尺寸，并可拓展FTIR红外光谱测试模组、EPA薄膜孔隙率测试模组、涡电流法非接触方块电阻测试模组、Mueller Matrix各项异性材料测试模组、Raman结晶率测试模组、反射干涉测试模组、透射率和反射率测试模组等多种功能，为方便用户合理配置，Semilab支持绝大部分模组的后续升***服务。 |
产品特点
| 业界第yi***光谱型椭偏仪测试设备厂商 |
| 业界标准测试机构定标设备，参与发布中华人民共和***椭圆偏振测试技术标准 |
| 非接触、无损测试所测样品无损伤的测量 |
| 业界*宽测试光谱范围，选配135nm-25um，并可自动切换快速探测模式和高精度探测模式 |
| 测试功能延展性强，并支持后续升***服务 |
| 定期免费升***SOPRA材料数据库 |
| 开放光学模型拟合分析过程，方便用户优化测试菜单 |
主要应用
| 光伏行业：晶硅电池减反膜、薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池 |
| 半导体行业：High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺 |
| 平板显示行业：TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片 |
| 光电行业：光波导、减反膜、III-V族器件、MEMS、溶胶凝胶 |
主要技术指标
| 测试速度：＜1 sec （快速测试模式）
＜120 sec （高分辨率测试模式） |
| 测量光谱分辨率：＜0.5nm@633nm （高分辨率测试模式）
＜0.8nm@633nm （快速测试模式） |
| 样品尺寸： 300mm |
| 厚度测量范围：0.01nm-50um |
| 厚度测试精度：0.02nm @120nm SiO2 on Si |
| 折射率测试精度：0.002 @120nm SiO2 on Si |
沪公网安备31011502016460号
