硒化镓晶体 GaSe晶体 太赫兹晶体

产品简介

GaSe硒化镓是***种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS***样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应***大值向短波方向移动。硒化镓作为***种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。

GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。

注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的***个很大限制在于质软，易碎。